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的近红外染料有青类染料、醌类染料等。
2、可反复写入的记忆材料？ ？？？
？？可反复写入的光记忆材料有磁光材料、光致变色材料、非晶态材料、电光晶体和热塑材料等。
磁光材料是利用光照射时局部温度升高，与此同时外加磁场，从而使局部磁化沿着外场方向。读取信号时，利用磁光相互作用的克尔效应（反射光）或法拉第效应（透射光）读出被记录的磁化方向。研究的磁光材料有很多种，包括磁性石榴石单晶膜，MnBi、PtCo等多晶膜及稀土…过渡金属非晶薄膜等。其中石榴单晶膜克尔角较小、制备困难，而且写入功率较大；MnBi等虽然克尔角较大，但难以制作且介质噪声较严重；稀土…过渡金属非晶薄膜虽然克尔角比MnBi等小，但无介质噪声且容易制成大面积薄膜，记录一类是铁基，如三元合金GdTbFe、TbDyFe及GdFe和TbFe两层膜，另一类为钴基如GdCo及TbFeCo等。
光致变色材料是通过光辐照使材料处于两个具有不同吸收光谱的可逆状态之一，从而将信息记录下来的。如将卤化银微晶散布在硼硅酸玻璃中的变色玻璃和CaFa单晶中掺杂镧、铈等稀土元素做成的材料。这些材料记忆时间短，且在读出时的光照射常常会扰乱记忆。
非晶态材料如Se…S系统的记忆材料，经过光照后其光学性质会发生可逆变化，当用波长比吸收端波长短的光辐照时，其吸收端向长波方向移动，且吸收系数和折射率也增大，由此可将信息记录下来。如将材料加热至非晶转变温度附近，则变化可得到恢复。
电光晶通过由光激发的电子陷落在晶体内被光辐照区域附近，会引起局部折射率变化，从而将信息记录下来。这种材料的代表是具有光电效应的单晶，如LiNbO3等，掺杂铁、钼等可提高灵敏度。通过加热可消除记忆，因此这种材料的研究很多，但至今还没有得到合适的材料供大规模生产。
四、光学薄膜
利用光学性质（包括光物性）的薄膜也是应用很多的一种薄膜材料，例如常见的幕墙玻璃上的各种反射膜等，这里仅介绍几种特殊的光学薄膜。
1、防反射膜？ ？光在物体表面总会有一部分被反射掉，对于光学镜头、太阳能电池等希望尽可能少的光被反射掉，人们很早就现如果在表面镀一层防反射膜可达此目的。
简单的光学计算表明，为了使折射率n1=1。5的玻璃从空气中入射的光反射率为零，只需在表面镀一层折射率为n2=
？？…1/2n1=1。22的膜。但实际上没有折射率这样低，而且透明度好、吸收小、强度高又很稳定的材料。折射率为n=1。38的MgF2膜比较起来是最好的，可以使玻璃的反射损耗降到1。4％，因而广泛应用于各种镜头。对于折射率较大的半导体材料如Ge（n=4）只要在上面镀一层ZnS膜（n≈2）；就可使反射率几乎为零。
上述单层膜实际仅能在一个波长下得到零反射率，在此波长两侧反射率急剧上升，而且对于玻璃，MgF2膜也并非最理想的。采用由经过计算选择的不同折射率材料制备的多层防反射膜可解决此问题。
2、薄膜激光器？ ？？？
？？在具有高折射率的薄膜外沉积低折射率的薄膜后，由于在界面上发生全反射，将光波封闭在有限截面的秀明介质内，使之在波导轴方向传播的光学结构称为光波导。如果用具有增益的活性材料做波导层，在其上再制出谐振器就可构成薄膜激光器，也称为波导激光器。其活性层厚度限制在0。1~0。5μm，宽度为1~3 nm，光被封闭在此区域中或附近，相应的电流阈值为20~100mA。光通信中所使用的激光器大部分是半导体薄膜激光器。
从原则上讲，凡是可以用来制作异质结构的材料都有可能成为半导体激光器的材料，其中研究最多的有：用于可见光波段及光通信的0。8um波段的GaAlAs…GaAs系列材料和用于光通信波段的四元化合物InGaAsP…InP，此外还有2~10um波段的InGaAsSb…AlGaAsSb和InAsPSb…InAPSb及Ⅱ…ⅥA族的化合物PbSnTe…PbSeTe，用于可见光波段的Ⅱ…ⅥA族半导体CdSSe…CdS等。激发方式不仅有电流注入型，还可采用激发和电子束激发。半导体薄膜激光器常用MOCVD方法来制备。
3、光电导膜？ ？ 电视摄像机、X射线摄像机（CT）、热摄像机等各种摄像机中，核心部件是将光学图转化为电信号的摄像管。在摄像管中主要使用两种薄膜透明导电膜和光电导膜。因为具有透明导电性，因而得到广泛应用。此外，阳极氧化Ta…Os 膜和蒸镀Se膜、Ge膜也用来做湿度传感器。
利用材料吸附气体后性能的变化可制成各种气敏元件，例如，应用半导体材料吸附气体后电导率的弯化等。由于环境监测、气体泄漏监测、汽车发动机等方面的需要，气敏材料近年来研究得比较多。研究较多的气敏薄膜有：对一氧化碳敏感的SnO2薄膜；对乙醇蒸气敏感的SnO2和ZnO等薄膜；对氢敏感的TiO2、ZnO和WO3等薄膜；对大气污染和NO2测定用的固溶微量Ag的V2O5薄膜等。为了使汽车燃料充分燃烧，减少污染，因而促进了氧敏材料的研究，半导体氧敏材料主要有SrTiO3、CeO2、Nb2O5等，固体电解质材料构成的电极吸附气体后电极电位会发生变化，已经利用ZrO2、LaF3等材料的这种性质做成氧敏元件，并已得到很多应用。
近来来，随着半导体集成电路技术，发展出了固体摄像器。用固体摄像器代替报像管可使摄像机体积大大减小、成本降低，但一般用于家庭，在这种摄像器中也要用到很多薄膜技术。
五、半导体薄膜
薄膜功能材料中很大一部分是半导体薄膜。半导体薄膜具有很广泛的应用，如集成电路、光导摄像管的光导电膜、场效应晶体管、高效太阳能电池、薄膜传感器乃至通过掺杂得到半导体导电薄膜等等。
1、半导体单晶薄膜？ ？？？在蓝宝石（α…Al2O3、六方晶系）等单晶绝缘基片上，外延生长单晶薄膜构成的半导体材料一般称为SOS（silicon on
？？sapphire）。用这种结构的半导体材料制作MOS集成电路，与块状材料相比，其p…n结面积小，减小了寄生电容及基片和布线间的电容，利于高速化；器件之间间隔区减少，利于高密度化；器件之间没有相互作用，便于设计和布置。这些特点正符合大规模集成电路的高速度、高密度要求，因而被认为是MOS集成电路的理想材料。多年来对SOS的制备、结构和性能等进行了很多的研究，随着薄膜外延生长技术的发展，现在已经达到了实用阶段。
SOS通常是采用热分解SiH4气体的气相沉积法，在蓝宝石基片上沉积得到硅单晶薄膜。虽然对于其他绝缘基片进行了不少研究，如尖晶石（Mal2O4，立方晶系）等，但能最好满足要求的还是蓝宝石。人造金刚石薄膜材料由于其良好的绝缘性能和导热等性能，被认为是制作超大规模集成电路的理想基片，但目前人造金刚石薄膜的质量还有待提高。
2、薄膜晶体管（thin film transistor；TFT）在绝缘基片上沉积半导体薄膜，再沉积上电极就构成了薄膜晶体管。在TFT中，由行半导体薄膜中的晶体不完整性形成的陷阱及半导体与绝缘体界面缺陷引起的表面能级，会将栅极电压诱导产生电子俘获，因而与单晶块材材料制作的晶体管相比，通常载流子的寿命较短，迁移率较小，做成p…n结漏电电流较大，便得TFT的电流值比单晶硅MOS晶体管差一个数量级左右，因此TFT主要是用来做薄膜场效应晶体管，特别是制作MIS（金属绝缘半导体）型场效应晶体管比较容易，而且性能也较好。
在TFT材料中，采用CdST cDSe晶体管已试制成功平板显示器，这两种材料禁带宽度和载流子迁移率都较大，可用真空蒸镀进行大面积沉积。但由于难以准确控制材料中原子比为1：1，且长期稳定性较差，所以后来TFT转向VIA族元素，特别硅。用等离子体CVD方法将硅烷（SiH4气体分解制成的非晶硅薄膜（简称α…Si）为代表的非晶半导体，具有比单晶硅更宽的禁带，很高的暗电阻，可得到很高的导通…载止电流比，且由于其键合构造中掺有氢，因而大大降低了禁带中电子、空穴的捕集能级密度，使其具有置换型杂质掺杂敏感情，通过添加铁、氮、碳、锗、锡等元素能够容易地改变带隙、电导率，又可进行均匀大面积沉积及利用光刻技术进行微加工等，因而是一种理想的半导体材料。已成功用于平板显示器等多种器件。
TFT的基片多采用玻璃、石英乃至蓝宝石等；电极材料可采用铝、钼、金、铬、NiCr、钛等金属或ITO（氧化铟锡）等透明导电膜，绝缘材料可采用SiO2、SiN4、Al2O3、TiO2等。
3、太阳能电池？ ？？？太阳能电池是利用半导体温表p…n结将光能直接转换成电能的器件。其功能是在光的作用下，半导体能带之间或能带次能级之间载流子迁移产生光载流子，内电场使光载流子极化，然后将极化载流子有效收集起来。带隙为1。4~1。7eV的材料可得到较高的转换效率，硅及铟、镉、镓的化合物半导体材料都可用来做太阳有电池材料。例如，在厚度约为400nm的单晶硅基片上沉积一层不同于基片材料的扩散层形成p…n结，然后在表面沉积透明导电膜电极，为了增加光吸收，上面再镀一层防反射膜，在背面沉积金属电极就构成了单晶硅太阳能电池。
太阳能电池实用化最重要的问题是要开发出性能价格比高的电池，实际上，太阳能电池中参与光电转换的仅是半导体表面几微米厚的一薄层，因而薄膜太阳能电池的研究具有很大吸引力。目前已有很多种薄膜太阳能电池，如在沉积成多晶硅薄膜以后，用外延生长法制备p…n结，然后沉积电极。用化学气相沉积得到的非晶硅薄膜对光的吸收系数高，1μm左右厚的薄膜就可制成太阳能电池，α…Si又适于制备大面积薄膜，因而是一种很有前途的材料。此外，只有V族化合物半导体如GaAs带隙为1。43eV时，正好能够